| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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NSBC143EPDXV6T1G |
SOT-563，SOT-666 | ON Semiconductor | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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NSBC143EPDXV6T1G参数 产品类别：分离式半导体产品-晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 说明：TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 包装数量：4000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：4.7k 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：4.7k 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：15 @ 5mA，10V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大）：500nA 频率 - 转换：- 功率 - 最大：500mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 薄膜电容器ECW-H20362JV 嵌入式 - FPGAGLN250V5-ZCSG81 压接器，施用器，压0623006204 芯片电阻 - 表面1-1879361-7 断路器1620-3-25A 芯片电阻 - 表面RG3216N-2053-W-T1 固定式ELJ-FB1R2KF 圆形 - 外壳AFD56-24-19SX-6139 芯片电阻 - 表面TNPW120663K4BEEN 拨动开关5636MAB27 |
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